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製品名
Monolayer Graphene on Si/SiO2 wafer, diam. 100 mm (4 in.)
詳細
Graphene Coverage: 100% with sporadic adlayers
Metal Impurities: 1.00e10 – 5.00e10 (at/cm) substrate
Monolayer Graphene Transparency: >97%
Raman D/G ratio: Indistinguishable to 0.03
Substrate Type/Doping: P/B
430 Ω/sq ±50 Ω/sq
品質水準
抵抗性
1-10 Ω-cm
直径
100 mm (4 in.)
粒径
>40 μm
半導体特性
(mobility>2700 cm2/V·s) (FET mobility)
SMILES記法
[C]
InChI
1S/C
InChI Key
OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N
関連するカテゴリー
詳細
アプリケーション
保管および安定性
その他情報
保管分類コード
13 - Non Combustible Solids
WGK
WGK 3
引火点(°F)
Not applicable
引火点(℃)
Not applicable
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物
名称等を表示すべき危険物及び有害物
労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物
名称等を通知すべき危険物及び有害物
Jan Code
920959-1EA-PW:
920959-1EA:
920959-VAR:
920959-BULK:
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資料
グラフェン電界効果トランジスタチップをご紹介します。研究初期での高品質GFETを製造するという負担をかけずに、アプリケーション主導の研究を可能にします。
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