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920924

Sigma-Aldrich

Monolayer hexagonal Boron Nitride (hBN) on Si/SiO2 wafer

diam. 200 mm (8 in.)

동의어(들):

Boronitrene, Hexagonal boron nitride monolayer, Single-layer hexagonal boron nitride, White graphene

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About This Item

실험식(Hill 표기법):
BN
CAS Number:
Molecular Weight:
24.82
MDL number:
UNSPSC 코드:
12352302
NACRES:
NA.23

설명

Bandgap: 5.97 eV
Metal Impurities: 1.00e10 – 5.00e10 (at/cm2)
Monolayer h-BN
Orientation: <1-0-0>
Raman Peak: 1370 /cm-1
Substrate Type/Doping: P/B
hBN Coverage: 100% with sporadic adlayers

Quality Level

저항도

5-30 Ω-cm

직경

200 mm (8 in.)

두께

300 nm , Oxide
725 ± 25 μm , Wafer

과립 크기

>4 μm

InChI

1S/BN/c1-2

InChI key

PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N

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애플리케이션

Monolayer hexagonal boron nitride (h-BN), also known as “white graphene”, is a wide-bandgap 2D crystal (~6 eV that can be tuned to ~2 eV) with exceptional strength , large oxidation resistance at high temperatures , and optical functionalities . Among its potential applications are:
  • Two-dimensional electronics
  • Nanophotonic and other optoelectronic devices
  • Quantum communication and information science
  • Aerospace industry
  • MEMS and NEMS
  • Micro-/nano- actuators
  • nsulating/transparent coatings

저장 및 안정성

To ensure the maximum shelf life of your hBN sample, it is best stored under vacuum or in inert atmosphere (Argon or Nitrogen) conditions once the vacuum sealed package has been opened.

Storage Class Code

13 - Non Combustible Solids

WGK

WGK 3


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Chemical and Bandgap Engineering in Monolayer Hexagonal Boron Nitride
Ba K, et al.
Scientific Reports, 7 (2017)
Hexagonal boron nitride nanomechanical resonators with spatially visualized motion
Zheng X, et al
Microsystems & Nanoengineering (2017)
Monolayer to Bulk Properties of Hexagonal Boron Nitride
Wickramaratne D, et al.
Physical Chemistry, 122, 25524 25529-25524 25529 (2018)
Piezoelectricity in Monolayer Hexagonal Boron Nitride
Ares P, et al.
Advanced Materials, 32 (2020)
From 2-D to 0-D Boron Nitride Materials, The Next Challenge
Stagi L, et al.
Materials, 12(23) (2019)

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