コンテンツへスキップ
Merck

326127

Sigma-Aldrich

硝酸インジウム(III) 水和物

99.99% trace metals basis

別名:

Indium trinitrate hydrate, Indium(3+) trinitrate hydrate

ログイン組織・契約価格を表示する


About This Item

化学式:
In(NO3)3 · xH2O
CAS番号:
分子量:
300.83 (anhydrous basis)
EC Number:
MDL番号:
UNSPSCコード:
12352302
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23
アッセイ:
99.99% trace metals basis
フォーム:
powder and chunks

品質水準

アッセイ

99.99% trace metals basis

フォーム

powder and chunks

反応適合性

reagent type: catalyst
core: indium

不純物

≤150.0 ppm Trace Metal Analysis

SMILES記法

[In+3].[H]O[H].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O

InChI

1S/In.3NO3.H2O/c;3*2-1(3)4;/h;;;;1H2/q+3;3*-1;

InChI Key

YZZFBYAKINKKFM-UHFFFAOYSA-N

類似した製品をお探しですか? 訪問 製品比較ガイド

詳細

硝酸インジウム(III)水和物はインジウムに基づく前駆体溶液であり、500°Cでアニーリングし、スピンコートすることにより、酸化インジウム薄膜を形成させることができます。

アプリケーション

硝酸インジウム(III)水和物は、薄膜トランジスタなどの半導体デバイスの製造用のインジウムに基づく基板の調製に使用されます。

ピクトグラム

Flame over circleExclamation mark

シグナルワード

Danger

危険有害性情報

危険有害性の分類

Acute Tox. 4 Dermal - Acute Tox. 4 Inhalation - Acute Tox. 4 Oral - Ox. Sol. 2

保管分類コード

5.1B - Oxidizing hazardous materials

WGK

WGK 3

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable

個人用保護具 (PPE)

Eyeshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges


適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

PRTR

第一種指定化学物質

消防法

第1類:酸化性固体
硝酸塩類
危険等級I
第一種酸化性固体

労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物

名称等を表示すべき危険物及び有害物

労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物

名称等を通知すべき危険物及び有害物

Jan Code

326127-BULK:
326127-VAR:
326127-10G:4548173313825
326127-50G:4548173313832


最新バージョンのいずれかを選択してください:

試験成績書(COA)

Lot/Batch Number

適切なバージョンが見つかりませんか。

特定のバージョンが必要な場合は、ロット番号またはバッチ番号で特定の証明書を検索できます。

以前この製品を購入いただいたことがある場合

文書ライブラリで、最近購入した製品の文書を検索できます。

文書ライブラリにアクセスする

この製品を見ている人はこちらもチェック

Effect of the synthesis route on the structural properties and shape of the indium oxide (In2O3) nano-particles
Bagheri-Mohagheghi M-M, et al.
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, 41(10), 1757-1762 (2009)
High electrical performance of wet-processed indium zinc oxide thin-film transistors
Park K, et al.
IEEE Electron Device Letters, 31(4), 311-313 (2010)
Influence of precursor concentration on the structural, optical and electrical properties of indium oxide thin film prepared by a sol-gel method
Lau LN, et al.
Applied Surface Science, 345, 355-359 (2015)
William J Scheideler et al.
ACS applied materials & interfaces, 10(43), 37277-37286 (2018-10-10)
Inorganic transparent metal oxides represent one of the highest performing material systems for thin-film flexible electronics. Integrating these materials with low-temperature processing and printing technologies could fuel the next generation of ubiquitous transparent devices. In this work, we investigate the

資料

Colloidal quantum dots (CQDs) are semiconducting crystals of only a few nanometers (ca. 2–12 nm) coated with ligand/surfactant molecules to help prevent agglomeration.

コロイド状量子ドットの合成法、特にカドミウム系および鉛系コロイド状量子ドットの合成法を紹介します。

ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.

製品に関するお問い合わせはこちら(テクニカルサービス)