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製品名
R2R Monolayer large grain CVD graphene on silicon wafer, 6 in diameter, avg. no. of layers, 1
品質水準
詳細
Growth method: roll-to-roll CVD
Wafer: SiO2 (300nm) Si
Number of layer: Monolayer
Raman intensity 2D/G: ≥1.5
特徴
avg. no. of layers 1
シート抵抗
280 Ω/sq ±10%
サイズ
110 μm × 110 μm ± 10%, grain size
表面被覆率
surface coverage >98%
透過率
>97%
半導体特性
(mobility>3000 cm2/V·s) (Hall effect measurements)
SMILES記法
NC.NC.NC.NC.NC.NC.NC.NC.NC
InChI
1S/9CH5N/c9*1-2/h9*2H2,1H3
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詳細
アプリケーション
The roll-to-roll process allows continuous, large scale graphene production.
This large grain size graphene product on silicon wafer is ready to use, helps you minimize process time, and increase success rate. This product with low sheet resistance would enable unmatched reproducibility and allow high performance for CVD graphene based FET, CVD graphene based sensors, and heterostructure based micro/nano electronics.
Application examples:
- Ultrafast Transistor
- Optical devices
- Bio/Gas Sensor
- Transparent Electrode
- Flexible Display
- Smart Coating
- Thermal management
注意
Keep away from contamination, heat, dust and flame etc.
保管および安定性
法的情報
保管分類コード
11 - Combustible Solids
WGK
WGK 3
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物
名称等を表示すべき危険物及び有害物
労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物
名称等を通知すべき危険物及び有害物
Jan Code
920134-VAR:
920134-1EA:
920134-BULK:
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資料
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