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品質水準
アッセイ
99.998% trace metals basis
形状
pieces
反応適合性
reagent type: catalyst
core: indium
粒径
3-20 mesh
SMILES記法
P#[In]
InChI
1S/In.P
InChI Key
GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N
シグナルワード
Danger
危険有害性情報
危険有害性の分類
Carc. 1B - Repr. 2 - STOT RE 1
保管分類コード
6.1C - Combustible acute toxic Cat.3 / toxic compounds or compounds which causing chronic effects
WGK
WGK 3
引火点(°F)
Not applicable
引火点(℃)
Not applicable
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
PRTR
第一種指定化学物質
消防法
第3類:自然発火性物質及び禁水性物質
金属のりん化物
危険等級I
第一種自然発火性物質及び禁水性物質
労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物
名称等を表示すべき危険物及び有害物
労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物
名称等を通知すべき危険物及び有害物
Jan Code
366870-5G:
366870-1G:4548173321868
366870-VAR:
366870-BULK:
Wenyong Liu et al.
Journal of the American Chemical Society, 135(4), 1349-1357 (2012-12-27)
In this work, we synthesized InP and InAs nanocrystals (NCs) capped with different inorganic ligands, including various molecular metal chalcogenide complexes (MCCs) and chalcogenide ions. We found that MCCs and chalcogenide ions can quantitatively displace organic ligands from the surface
Lorenzo Romeo et al.
Nano letters, 12(9), 4490-4494 (2012-08-02)
Very robust voltage-controlled spin transitions in few-electron quantum dots are demonstrated. Two lateral-gate electrodes patterned on opposite sides of an InAs/InP nanowire are used to apply a transverse electric field and tune orbital energy separation down to level-pair degeneracy. Transport
Martin Hjort et al.
ACS nano, 6(11), 9679-9689 (2012-10-16)
Using both synchrotron-based photoemission electron microscopy/spectroscopy and scanning tunneling microscopy/spectroscopy, we obtain a complete picture of the surface composition, morphology, and electronic structure of InP nanowires. Characterization is done at all relevant length scales from micrometer to nanometer. We investigate
Hidetaka Asoh et al.
Nanotechnology, 23(21), 215304-215304 (2012-05-04)
To fabricate ordered geometric patterns consisting of InP nanoporous structures, a photoresist mask with periodic opening arrays was prepared by sphere photolithography. The diameter and interval of the openings of the photoresist mask could be controlled independently by adjusting the
Vasilis Katopodis et al.
Optics express, 20(27), 28538-28543 (2012-12-25)
We demonstrate the first integrated transmitter for serial 100 Gb/s NRZ-OOK modulation in datacom and telecom applications. The transmitter relies on the use of an electro-optic polymer modulator and the hybrid integration of an InP laser diode and InP-DHBT electronics
ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.
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