コンテンツへスキップ
Merck

632317

Sigma-Aldrich

酸化インジウム(III)

nanopowder, <100 nm particle size (TEM), 99.9% trace metals basis

別名:

三二酸化インジウム, 三酸化二インジウム

ログイン組織・契約価格を表示する


About This Item

実験式(ヒル表記法):
In2O3
CAS番号:
分子量:
277.63
EC Number:
MDL番号:
UNSPSCコード:
12352302
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

蒸気圧

<0.01 mmHg ( 25 °C)

品質水準

アッセイ

99.9% trace metals basis

フォーム

nanopowder

反応適合性

reagent type: catalyst
core: indium

粒径

<100 nm (TEM)

密度

7.18 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES記法

O=[In]O[In]=O

InChI

1S/2In.3O

InChI Key

SHTGRZNPWBITMM-UHFFFAOYSA-N

類似した製品をお探しですか? 訪問 製品比較ガイド

詳細

酸化インジウム(III)は、電子工学、光学、材料科学において重要な用途を持つ多用途の化合物です。導電性と光透過性のため、特にフラットパネルディスプレイや太陽電池用の透明導電性酸化物(TCO)の合成に広く使用されています。半導体技術では、インジウムスズ酸化物(ITO)の製造に使用され、電子機器の性能を向上させます。また、さまざまなガスに敏感であるため、ガス検知用途、特に有害ガスの検出に適しています。

アプリケーション

  • CO2光触媒のためのアミン修飾表面フラストレートルイス対:水酸化酸化イリジウムとアミン修飾表面フラストレートルイス対を使用したCO2還元の光触媒性能の強化について議論しています(Q Guan et al., 2024)。
  • UV光励起によるガスセンシングの性能向上:400 nmのUV光励起による、酸化インジウム(III)などの金属酸化物半導体ケミレジスタの室温ガスセンシング能力の改善について探索しています(S Paul et al., 2024)。
  • 工業およびナノ粒子合成におけるインジウム(III)錯体:さまざまな工業用途および酸化インジウムのようなナノ粒子の合成における触媒および前駆体としての3価インジウム錯体の使用について概説しています(TO Ajiboye et al., 2024)。
  • Ag/In2O3逆オパールの合成:銀/酸化インジウム逆オパール構造の合成および視点の詳細を示し、その光学特性に基づく半導体用途における可能性を強調しています(AV Lyutova et al., 2024)。
  • ヒドロキシラジカルおよびマンガン種の光触媒的生成:可視光下の効率的なマイクロ汚染物質除去のための過マンガン酸塩の光触媒性能の強化における酸化インジウムの使用について調査しています(J Li et al., 2024)。

保管分類コード

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 3

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable

個人用保護具 (PPE)

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

PRTR

第一種指定化学物質

労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物

名称等を表示すべき危険物及び有害物

労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物

名称等を通知すべき危険物及び有害物

Jan Code

632317-5G:4548173313245
632317-VAR:
632317-BULK:
632317-25G:4548173313238


最新バージョンのいずれかを選択してください:

試験成績書(COA)

Lot/Batch Number

適切なバージョンが見つかりませんか。

特定のバージョンが必要な場合は、ロット番号またはバッチ番号で特定の証明書を検索できます。

以前この製品を購入いただいたことがある場合

文書ライブラリで、最近購入した製品の文書を検索できます。

文書ライブラリにアクセスする

この製品を見ている人はこちらもチェック

Jiefu Yin et al.
Inorganic chemistry, 51(12), 6529-6536 (2012-06-06)
We report here for the first time the hollow, metastable, single-crystal, rhombohedral In(2)O(3) (rh-In(2)O(3)) nanocrystals synthesized by annealing solvothermally prepared InOOH solid nanocrystals under ambient pressure at 400 °C, through a mechanism of the Kirkendall effect, in which pore formation
Mareike V Hohmann et al.
Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal, 23(33), 334203-334203 (2011-08-05)
The ionization potentials of In(2)O(3) films grown epitaxially by magnetron sputtering on Y-stabilized ZrO(2) substrates with (100) and (111) surface orientation are determined using photoelectron spectroscopy. Epitaxial growth is verified using x-ray diffraction. The observed ionization potentials, which directly affect
Di Chen et al.
Nanoscale, 4(10), 3001-3012 (2012-04-13)
With the features of high mobility, a high electric on/off ratio and excellent transparency, metal oxide nanowires are excellent candidates for transparent thin-film transistors, which is one of the key technologies to realize transparent electronics. This article provides a comprehensive
Xiaoyun Li et al.
Environmental science & technology, 46(10), 5528-5534 (2012-04-12)
Perfluorooctanoic acid (C(7)F(15)COOH, PFOA) has increasingly attracted worldwide concerns due to its global occurrence and resistance to most conventional treatment processes. Though TiO(2)-based photocatalysis is strong enough to decompose most organics, it is not effective for PFOA decomposition. We first
Kelvin H L Zhang et al.
ACS nano, 6(8), 6717-6729 (2012-06-30)
The growth of In(2)O(3) on cubic Y-stabilized ZrO(2)(001) by molecular beam epitaxy leads to formation of nanoscale islands which may tilt relative to the substrate in order to help accommodate the 1.7% tensile mismatch between the epilayer and the substrate.

ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.

製品に関するお問い合わせはこちら(テクニカルサービス)