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テトラキス(エチルメチルアミド)ハフニウム(IV)

≥99.99% trace metals basis

• 別名: TEMAH, テトラキス(エチルメチルアミノ)ハフニウム(IV)
• 化学式: [(CH₃)(C₂H₅)N]₄Hf
• CAS番号: 352535-01-4
• 分子量: 410.90
• MDL番号: MFCD03427130
• UNSPSCコード: 12352103
• PubChem Substance ID: 24879306
• NACRES: NA.23

特性

• 品質水準: 200
• アッセイ: ≥99.99% trace metals basis
• フォーム: liquid
• 反応適合性: core: hafnium
• 不純物: Purity excludes ~2000 ppm Zirconium
• bp: 78 °C/0.01 mmHg (lit.)
• mp: <-50 °C
• 密度: 1.324 g/mL at 25 °C (lit.)
• SMILES記法: CCN(C)[Hf](N(C)CC)(N(C)CC)N(C)CC
• InChI: 1S/4C3H8N.Hf/c4*1-3-4-2;/h4*3H2,1-2H3;/q4*-1;+4
• InChI Key: NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N

詳細

詳細

テトラキス(エチルメチルアミド)ハフニウム(IV)（TEMAH）は、水と空気に敏感な無色の液体です。-50°で凍結し、0.1Torrでは、約78°で沸騰します。

アプリケーション

TEMAHは、酸化ハフニウム（HfO₂）薄膜の原子層堆積（ALD）の前駆体として使用されます。HfO₂は、16～25の高い絶縁定数を示すため、半導体製造における誘電体膜として一般に使用されます。

TEMAHは、沸点が低く、水やオゾンと反応するため、ALDに最適です。最も重要なことは、ガラス、インジウムスズ酸化物（ITO）、Si(100)などの多くの基板上で、その吸着が自己制限的であることです。研究者らは、MoS₂などの2D材料上にHfO₂の薄膜を堆積させるために使用しました。


TEMAHは、強誘電性ハフニウム酸化ジルコニウムや、MoS₂フォトトランジスタ上のHf₁-xZrxO₂薄膜の合成にも有用な前駆体です。研究者らはまた、TEMAHとアンモニアを交互にパルスするALDによって窒化ハフニウム（Hf₃N₄）薄膜を堆積しました。

特徴および利点

• 熱に安定です。
• 十分な揮発性があり、気相成長に適しています。
• 完全に自己制限的な表面反応。

安全性情報

• ピクトグラム: GHS02,GHS05,GHS07
• シグナルワード: Danger
• 危険有害性情報: H225,H260,H302,H314,H335
• 注意書き: P210 - P231 + P232 - P280 - P301 + P312 - P303 + P361 + P353 - P305 + P351 + P338
• 危険有害性の分類: Acute Tox. 4 Oral - Eye Dam. 1 - Flam. Liq. 2 - Skin Corr. 1B - STOT SE 3 - Water-react 1
• ターゲットの組織: Respiratory system
• 補足的ハザード: EUH014
• 保管分類コード: 4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water
• WGK: WGK 3
• 引火点(°F): 51.8 °F - closed cup
• 引火点(℃): 11 °C - closed cup
• 個人用保護具 (PPE): Eyeshields, Faceshields, Gloves, type ABEK (EN14387) respirator filter