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テトラキス(ジメチルアミド)ハフニウム(IV)

≥99.99%

• 別名: TDMAH, テトラキス(ジメチルアミノ)ハフニウム(IV)
• 化学式: [(CH₃)₂N]₄Hf
• CAS番号: 19782-68-4
• 分子量: 354.79
• MDL番号: MFCD01862473
• UNSPSCコード: 12352103
• PubChem Substance ID: 24869038
• NACRES: NA.23

特性

• 品質水準: 100
• アッセイ: ≥99.99%
• 形状: low-melting solid
• 反応適合性: core: hafnium
• mp: 26-29 °C (lit.)
• 密度: 1.098 g/mL at 25 °C
• SMILES記法: CN(C)[Hf](N(C)C)(N(C)C)N(C)C
• InChI: 1S/4C2H6N.Hf/c4*1-3-2;/h4*1-2H3;/q4*-1;+4
• InChI Key: ZYLGGWPMIDHSEZ-UHFFFAOYSA-N

詳細

詳細

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV)は、 中心の1つのハフニウム原子（Hf）とそれを取り巻く 4つのdimethylamidoリガンド（NMe₂）で構成される有機金属化合物です。一般的にCVD/ALD 前駆体として使用されて、高品質なHf薄層 を生成します。融点が低い固体 です。

アプリケーション

Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV)は、以下の用途で使用できます：

• 先進半導体デバイス用のhafnium oxide薄層の堆積のための原子層堆積（ALD）前駆体として。
• ポリマー由来セラミックナノコンポジットを作製するための前駆体として。
• ALD法による、tris(isopropyl-cyclopentadienyl)cerium [Ce(iPrCp)₃]前駆体をH₂Oと共に用いた、Ge基質上でのHfO₂、CeO₂、およびCeドープHfO₂薄層の作製。
• 150−250 °Cの低基質温度における、TDMAHおよびammoniaを用いたHf₃N₄ 薄層の作製。

アナリシスノート

純度は、約2000 ppmのZrを除いた値です。

安全性情報

• ピクトグラム: GHS02,GHS05
• シグナルワード: Danger
• 危険有害性情報: H228,H261,H314
• 注意書き: P210 - P231 + P232 - P280 - P305 + P351 + P338 - P310 - P422
• 危険有害性の分類: Flam. Sol. 1 - Skin Corr. 1B - Water-react 2
• 補足的ハザード: EUH014
• 保管分類コード: 4.3 - Hazardous materials which set free flammable gases upon contact with water
• WGK: WGK 3
• 個人用保護具 (PPE): Eyeshields, Faceshields, Gloves, type P3 (EN 143) respirator cartridges