コンテンツへスキップ
Merck
すべての画像(1)

主要文書

すべての文書を表示

安全性情報

646687

Sigma-Aldrich

ケイ素

wafer (single side polished), <100>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm

別名:

ケイ素元素

ログイン組織・契約価格を表示する
すべての画像(1)

About This Item

化学式:
Si
CAS番号:
7440-21-3
分子量:
28.09
EC Number:
231-130-8
MDL番号:
MFCD00085311
UNSPSCコード:
12352300
PubChem Substance ID:
24883476
NACRES:
NA.23

フォーム

crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)

品質水準

100

含まれません

dopant

直径×厚み

2 in. × 0.5 mm

bp

2355 °C (lit.)

mp

1410 °C (lit.)

密度

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

半導体特性

<100>, N-type

SMILES記法

[Si]

InChI

1S/Si

InChI Key

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

類似した製品をお探しですか？ 訪問 製品比較ガイド

関連するカテゴリー

詳細

シリコンウェハーすなわち基板の「スライス」は、集積回路、太陽電池などの製造で用途があります。さまざまなマイクロ電子デバイスの基板として機能します。

アプリケーション

  • Innovative Solutions for High-Performance Silicon Anodes in Lithium-Ion Batteries: Overcoming Challenges and Real-World Applications.：この論文では、リチウムイオン電池における高性能シリコンアノードの課題および実世界の用途に取り組み、その効率を向上させる革新的なソリューションを提示しています（Khan et al., 2024）。
  • Strain Engineering: Perfecting Freestanding Perovskite Oxide Fabrication.：この研究では、学界でのさまざまな高純度ケイ素の用途に不可欠である、自立型ペロブスカイト酸化物の作製を改善するための歪みの設計に焦点を合わせています（Yun et al., 2024）。

物性

Pタイプ伝導体です。0渦流欠陥。エッチピッチ密度(EPD) < 100 (cm-2)。抵抗率 102 - 104 Ωcm。
酸素含有量: ≤ 1~1.8 x 1018 /cm3; 炭素含有量: ≤ 5 x 1016 /cm3; 結晶径: 1~8 ″。

保管分類コード

13 - Non Combustible Solids

WGK

WGK 3

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable

個人用保護具 (PPE)

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)

適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物

名称等を表示すべき危険物及び有害物

労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物

名称等を通知すべき危険物及び有害物

Jan Code

646687-VAR:
646687-1EA:
646687-5EA:
646687-BULK:

最新バージョンのいずれかを選択してください：

試験成績書（COA）

Lot/Batch Number
MKCW6935
MKCT4983
MKCT4982
MKCT4980
MKCT4978

適切なバージョンが見つかりませんか。

特定のバージョンが必要な場合は、ロット番号またはバッチ番号で特定の証明書を検索できます。

COAを検索

以前この製品を購入いただいたことがある場合

文書ライブラリで、最近購入した製品の文書を検索できます。

文書ライブラリにアクセスする

この製品を見ている人はこちらもチェック

Slide 1 of 8

1 of 8

二酸化ケイ素 single crystal substrate, optical grade, 99.99% trace metals basis, L × W × thickness 10&#160;mm × 10&#160;mm × 0.5&#160;mm

Sigma-Aldrich

634867

二酸化ケイ素

ケイ素 disks, 13mm, thickness 0.38mm, single crystal, 100%

GF72027266

ケイ素

ケイ素 pieces, 99.95% trace metals basis

Sigma-Aldrich

343250

ケイ素

ケイ素 wafer (single side polished), &#60;111&#62;, N-type, contains phosphorus as dopant, diam. × thickness 2&#160;in. × 0.5&#160;mm

Sigma-Aldrich

647799

ケイ素

ケイ素 disks, 15.9mm, thickness 0.38mm, single crystal, n-type, 100%

GF46268433

ケイ素

ケイ素 sheet, 10x10mm, thickness 0.6mm, single crystal, -100, 100%

GF71817543

ケイ素

チタン酸ストロンチウム single crystal substrate, &#60;100&#62;

Sigma-Aldrich

634689

チタン酸ストロンチウム

ケイ素 sheet, 10x10mm, thickness 0.5mm, single crystal, -100, 100%

GF91141792

ケイ素

Molecular monolayers on silicon surfaces.
Lopinski GP and Wayner DDM.
Material Matters, 3(2), 38-38 (2008)
Seungil Park et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3397-3402 (2013-07-19)
We investigated the thin film growths of hydrogenated silicon by hot-wire chemical vapor deposition with different flow rates of SiH4 and H2 mixture ambient and fabricated thin film solar cells by implementing the intrinsic layers to SiC/Si heterojunction p-i-n structures.
Jae Cheol Shin et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3511-3514 (2013-07-19)
We have characterized the structural properties of the ternary In(x)Ga(1-x)As nanowires (NWs) grown on silicon (Si) substrates using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Au catalyzed vapor-liquid-solid (VLS) mode was used for the NW growth. The density of the In(x)Ga(1-x)As NW
Jaewoo Lee et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3495-3499 (2013-07-19)
A spin-casting process for fabricating polycrystalline silicon sheets for use as solar cell wafers is proposed, and the parameters that control the sheet thickness are investigated. A numerical study of the fluidity of molten silicon indicates that the formation of
Mariya Nazish Memon et al.
JPMA. The Journal of the Pakistan Medical Association, 62(12), 1329-1332 (2013-07-23)
To evaluate the outcome of nasolacrimal intubation as a primary treatment of congenital nasolacrimal duct obstruction (NLDO) in children up to 4 years of age. During the 3 years period from July 2008 to June 2011, in the Paediatric Ophthalmology
関連する文献をすべて表示

資料

シリコン表面上の単分子膜

シリコン表面上に単分子膜を形成する方法とメカニズム、単分子膜の特性、および分子エレクトロニクスやセンシング用途への応用に関する展望について紹介しています。

Molecular Monolayers on Silicon Surfaces

Explore methods for molecular monolayers on silicon surfaces, their properties, and applications in molecular electronics and sensing.

色素増感およびペロブスカイト太陽電池：原子層堆積法による界面工学

ALD（原子層堆積法）を色素増感およびペロブスカイト太陽電池の作製に用いた事例をご紹介しています。

Dye-Sensitized and Perovskite Solar Cells

Continuous efficiency improvements in photovoltaic devices result from material advancements and manufacturing innovation.

すべて表示

プロトコル

ネガ型フォトレジストキットの取り扱い方法

本フォトレジストキットには、リソグラフィープロセスにおける各ステップで必要な材料が含まれています。各材料は、すぐにお使いいただけるようにあらかじめ計量されており、エッチング液については、様々な基板に適切なものをお選びいただけるように、個別に販売しています。

Negative Photoresist Procedure

Photoresist kit offers pre-weighed chemical components for lithographic processes, with separate etchants for various substrate choices.

ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.

製品に関するお問い合わせはこちら（テクニカルサービス）