コンテンツへスキップ
Merck

647101

Sigma-Aldrich

ケイ素

wafer (single side polished), <111>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm

別名:

Silicon element

ログイン組織・契約価格を表示する


About This Item

化学式:
Si
CAS番号:
分子量:
28.09
EC Number:
MDL番号:
UNSPSCコード:
12352300
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

フォーム

crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)

品質水準

含まれません

dopant

直径×厚み

2 in. × 0.5 mm

bp

2355 °C (lit.)

mp

1410 °C (lit.)

密度

2.33 g/mL at 25 °C (lit.)

半導体特性

<111>, N-type

SMILES記法

[Si]

InChI

1S/Si

InChI Key

XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N

類似した製品をお探しですか? 訪問 製品比較ガイド

アプリケーション


  • Silicon Photonics and Electronics: Discusses the integration of silicon photonics with electronics, relevant for developing high-performance computational devices, pertinent to material science and high-performance computing research (C Xiang et al., 2021).

  • Silicon Silicon pi Single Bond: Details the structural chemistry of silicon and its implications in molecular and material sciences, useful for chemists interested in silicon′s applications in nanotechnology and materials science (S Kyushin et al., 2020).

物性

Pタイプ伝導体です。0渦流欠陥。エッチピッチ密度(EPD) < 100 (cm-2)。抵抗率102 - 104 Ωcm。
酸素含有量: ≤ 1~1.8 x 1018 /cm3; 炭素含有量: ≤ 5 x 1016 /cm3; ブ-ル径: 1~8 ″。

保管分類コード

13 - Non Combustible Solids

WGK

nwg

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable

個人用保護具 (PPE)

Eyeshields, Gloves, type N95 (US)


適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物

名称等を表示すべき危険物及び有害物

労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物

名称等を通知すべき危険物及び有害物

Jan Code

647101-1EA:
647101-5EA:
647101-VAR:
647101-BULK:


最新バージョンのいずれかを選択してください:

試験成績書(COA)

Lot/Batch Number

適切なバージョンが見つかりませんか。

特定のバージョンが必要な場合は、ロット番号またはバッチ番号で特定の証明書を検索できます。

以前この製品を購入いただいたことがある場合

文書ライブラリで、最近購入した製品の文書を検索できます。

文書ライブラリにアクセスする

この製品を見ている人はこちらもチェック

Hyunhui Kim et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3559-3563 (2013-07-19)
Silicon sheets were fabricated by a new fabricating method, spin casting with various rotation speeds of the graphite mold. The microstructure of spin-cast silicon sheets were investigated using an electron probe microanalyzer (EPMA) and scanning electron microscope/electron backscatter diffraction/orientation image
Jaewoo Lee et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3495-3499 (2013-07-19)
A spin-casting process for fabricating polycrystalline silicon sheets for use as solar cell wafers is proposed, and the parameters that control the sheet thickness are investigated. A numerical study of the fluidity of molten silicon indicates that the formation of
Youngin Jeon et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3350-3353 (2013-07-19)
Si-nanowire (NW)-array-based NOT-logic circuits were constructed on plastic substrates. The Si-NW arrays were fabricated on a Si wafer through top-down methods, including conventional photolithography and crystallographic wet etching, and transferred onto the plastic substrates. Two field-effect transistors were fabricated on
Seungil Park et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3397-3402 (2013-07-19)
We investigated the thin film growths of hydrogenated silicon by hot-wire chemical vapor deposition with different flow rates of SiH4 and H2 mixture ambient and fabricated thin film solar cells by implementing the intrinsic layers to SiC/Si heterojunction p-i-n structures.
Jae Cheol Shin et al.
Journal of nanoscience and nanotechnology, 13(5), 3511-3514 (2013-07-19)
We have characterized the structural properties of the ternary In(x)Ga(1-x)As nanowires (NWs) grown on silicon (Si) substrates using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Au catalyzed vapor-liquid-solid (VLS) mode was used for the NW growth. The density of the In(x)Ga(1-x)As NW

資料

シリコン表面上に単分子膜を形成する方法とメカニズム、単分子膜の特性、および分子エレクトロニクスやセンシング用途への応用に関する展望について紹介しています。

Explore methods for molecular monolayers on silicon surfaces, their properties, and applications in molecular electronics and sensing.

ALD(原子層堆積法)を色素増感およびペロブスカイト太陽電池の作製に用いた事例をご紹介しています。

Continuous efficiency improvements in photovoltaic devices result from material advancements and manufacturing innovation.

すべて表示

プロトコル

本フォトレジストキットには、リソグラフィープロセスにおける各ステップで必要な材料が含まれています。各材料は、すぐにお使いいただけるようにあらかじめ計量されており、エッチング液については、様々な基板に適切なものをお選びいただけるように、個別に販売しています。

Photoresist kit offers pre-weighed chemical components for lithographic processes, with separate etchants for various substrate choices.

ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.

製品に関するお問い合わせはこちら(テクニカルサービス)