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詳細
Crystallographic D spacing ((0001) - c plane: 2.165 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1011) - s plane: 1.961 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1040) - m plane: 1.375 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1102) - r plane: 1.740 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1120) - a plane: 2.379 Angstrom)
Crystallographic D spacing ((1123) - n plane: 1.147 Angstrom)
single side polished
品質水準
形状
single crystal substrate
硬度
9 mohs
L × W ×厚み
10 mm × 10 mm × 0.5 mm
mp
2040 °C (lit.)
半導体特性
<0001>
SMILES記法
O=[Al]O[Al]=O
InChI
1S/2Al.3O
InChI Key
TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N
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特徴および利点
物性
物理的形状
保管分類コード
13 - Non Combustible Solids
WGK
nwg
引火点(°F)
Not applicable
引火点(℃)
Not applicable
個人用保護具 (PPE)
Eyeshields, Gloves, type N95 (US)
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
Jan Code
634875-5EA:
634875-BULK:
634875-1EA:
634875-VAR:
資料
ALD(原子層堆積法)を色素増感およびペロブスカイト太陽電池の作製に用いた事例をご紹介しています。
Continuous efficiency improvements in photovoltaic devices result from material advancements and manufacturing innovation.
Spintronics offer breakthroughs over conventional memory/logic devices with lower power, leakage, saturation, and complexity.
Hybrid organic-inorganic sol-gel materials containing silica were first called “ORMOSILs” in 1984.
ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.
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