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ビス(メチル-η⁵_-シクロペンタジエニル)メトキシメチルジルコニウム

packaged for use in deposition systems

• 別名: ZRCMMM, ZrD-CO₄
• 化学式: Zr(CH₃C₅H₄)₂CH₃OCH₃
• 分子量: 295.53
• MDL番号: MFCD16875687
• UNSPSCコード: 12352103
• PubChem Substance ID: 329764163
• NACRES: NA.23

特性

• フォーム: liquid
• 反応適合性: core: zirconium
• 色: colorless
• bp: 110 °C/0.5 mmHg (lit.)
• 密度: 1.27 g/mL±0.01 g/mL at 25 °C (lit.)
• SMILES記法: C[C]1[C][C][C][C]1.C[C]2[C][C][C][C]2.C[Zr]OC
• InChI: 1S/2C6H7.CH3O.CH3.Zr/c2*1-6-4-2-3-5-6;1-2;;/h2*2-5H,1H3;1H3;1H3;/q;;-1;;+1
• InChI Key: LFGIFPGCOXPKMG-UHFFFAOYSA-N

詳細

詳細

Atomic number of base material: 40 Zirconium

アプリケーション

Precursors Packaged for Depositions Systems

Advanced precursor for atomic layer deposition of ZrO₂ thin films. Hafnium and zirconium oxides are leading candidates to replace silicion dioxide as the gate oxide in a variety of semiconductor and energy applications. Excellent properties of HfO₂ and ZrO₂ films make them especially attractive for gate oxide replacement and as potential insulating dielectrics for capacitive elements in memory devices such as DRAM.

特徴および利点

400°Cまで自己極限成長を示す広い温度範囲全体でのALD(原子層堆積)成長過程で様々な酸化剤と混合可能です。前駆物質の揮発性と熱安定特性により、材料を気泡液位計から従来の蒸着器具に容易に輸送できるようになります。

包装

Packaged in stainless steel cylinders compatible with conventional deposition systems. Precursors may be used in liquid injection systems as dilute solutions and in combination with a variety of other sources to deposit mixed oxides.

安全性情報

• ピクトグラム: GHS07
• シグナルワード: Warning
• 危険有害性情報: H302,H315,H319
• 注意書き: P305 + P351 + P338
• 危険有害性の分類: Acute Tox. 4 Oral - Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2
• 保管分類コード: 10 - Combustible liquids not in Storage Class 3
• WGK: WGK 3
• 引火点(°F): 226.4 °F
• 引火点(℃): 108 °C