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Merck

215120

Sigma-Aldrich

四塩化ケイ素

99%

別名:

STC, テトラクロロシラン

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About This Item

化学式:
SiCl4
CAS番号:
分子量:
169.90
EC Number:
MDL番号:
UNSPSCコード:
12352103
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

蒸気密度

5.86 (vs air)

品質水準

蒸気圧

420 mmHg ( 37.7 °C)

アッセイ

99%

フォーム

liquid

反応適合性

core: silicon

bp

57.6 °C (lit.)

mp

−70 °C (lit.)

密度

1.483 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES記法

Cl[Si](Cl)(Cl)Cl

InChI

1S/Cl4Si/c1-5(2,3)4

InChI Key

FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N

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詳細

シリコン四塩化物(SiCl4)は無機化合物です。その結晶構造は、カーボン四塩化物(Ccl4)4)と類似しています。SiCl4は、シリコン化合物(例、Mg2Si、SiC、SiO2/C)の塩素化によって合成できます。

アプリケーション

SiCl4は以下に使用できます:
  • 半導体産業や光電池において主なアプリケーションを持つ、高純度シリコンおよびシリコン四塩化物由来の高純度シリコンの生成。
  • ゼオライト、モルデナイトの脱アルミン酸化。
  • カルボン酸とアミドからのアミンの合成におけるカップリング試薬。
  • ナノシリカの合成。

包装

通い容器のオプションをご覧ください。

ピクトグラム

Skull and crossbonesCorrosion

シグナルワード

Danger

危険有害性情報

危険有害性の分類

Acute Tox. 3 Inhalation - Acute Tox. 3 Oral - Eye Dam. 1 - Skin Corr. 1A - STOT SE 3

ターゲットの組織

Respiratory system

補足的ハザード

保管分類コード

6.1D - Non-combustible acute toxic Cat.3 / toxic hazardous materials or hazardous materials causing chronic effects

WGK

WGK 1

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable

個人用保護具 (PPE)

Faceshields, Gloves, Goggles


適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物

名称等を表示すべき危険物及び有害物

労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物

名称等を通知すべき危険物及び有害物

Jan Code

215120-1KG:
215120-200L:
215120-100G:
215120-VAR:
215120-BULK:


最新バージョンのいずれかを選択してください:

試験成績書(COA)

Lot/Batch Number

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Verma NK , et al.
Comprehensive Chemistry XI null
Dealumination of mordenite using silicon tetrachloride vapour
Klinowski J, et al.
Zeolites, 3(1), 5-7 (1983)
Using hydrolysis of silicon tetrachloride to prepare highly dispersed precipitated nanosilica
Xiao Y, et al.
Chemical Engineering Journal, 283(1), 1-8 (2016)
Zeolites treated with silicon tetrachloride vapour. IV. Acidity.
Anderson MW and Klinowski J
Zeolites, 6(6), 455-466 (1986)
Silicon tetrachloride as a coupling reagent for amide formation
Chan TH and Wong LTL
The Journal of Organic Chemistry, 34(9), 2766-2767 (1969)

資料

atomic layer deposition (ALD), microelectronics, Mo:Al2O3 films, nanocomposite coating, photovoltaics, semiconductor devices, W:Al2O3 films, composite films, layer-by-layer

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