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蒸気密度
6.9 (vs air)
品質水準
アッセイ
98%
形状
crystals
組成
Degree of hydration, ~1
反応適合性
core: copper
SMILES記法
O.CC(=O)O[Cu]OC(C)=O
InChI
1S/2C2H4O2.Cu.H2O/c2*1-2(3)4;;/h2*1H3,(H,3,4);;1H2/q;;+2;/p-2
InChI Key
NWFNSTOSIVLCJA-UHFFFAOYSA-L
関連するカテゴリー
シグナルワード
Warning
危険有害性情報
危険有害性の分類
Acute Tox. 4 Oral - Aquatic Acute 1 - Eye Irrit. 2 - Skin Irrit. 2 - STOT SE 3
ターゲットの組織
Respiratory system
保管分類コード
11 - Combustible Solids
WGK
WGK 3
引火点(°F)
Not applicable
引火点(℃)
Not applicable
個人用保護具 (PPE)
dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
毒物及び劇物取締法
劇物
PRTR
第一種指定化学物質
労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物
名称等を表示すべき危険物及び有害物
労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物
名称等を通知すべき危険物及び有害物
Jan Code
341746-5G:4548173137766
341746-500G:4548173137759
341746-100G:4548173137735
341746-2.5KG:4548173137742
341746-BULK:
341746-VAR:
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資料
銅金属の堆積プロセスは、マイクロエレクトロニクス用途で使用されるインターコネクト(配線)を形成するための不可欠なツールであり、第11族元素(貨幣金属:銅、銀、金)は原子層堆積法(ALD:atomic layer deposition)のプロセス開発において重要な位置を占めています。
Copper metal deposition processes are an essential tool for depositing interconnects used in microelectronic applications, giving group 11 (coinage metals: Copper, Silver, and Gold) an important place in atomic layer deposition (ALD) process development.
ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.
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