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フォーム
solid
品質水準
反応適合性
core: cobalt
mp
>210 °C (lit.)
保管温度
2-8°C
SMILES記法
[Co].C[C]1[C](C)[C](C)[C](C)[C]1C.C[C]2[C](C)[C](C)[C](C)[C]2C
InChI
1S/2C10H15.Co/c2*1-6-7(2)9(4)10(5)8(6)3;/h2*1-5H3;
InChI Key
XDHJNPINFJSJJB-UHFFFAOYSA-N
関連するカテゴリー
詳細
アプリケーション
- 銅フタロシアニン薄膜などの有機電子材料を製造するn型ドーパント。
- 高品質な還元グラフェンオキシド薄膜を室温で合成する際の還元剤。
- コバルトのプラズマ原子層堆積用の金属有機前駆体。
保管分類コード
11 - Combustible Solids
WGK
WGK 3
引火点(°F)
Not applicable
引火点(℃)
Not applicable
個人用保護具 (PPE)
Eyeshields, Gloves, type N95 (US)
適用法令
試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。
PRTR
第一種指定化学物質
労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物
名称等を表示すべき危険物及び有害物
労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物
名称等を通知すべき危険物及び有害物
Jan Code
401781-VAR:
401781-BULK:
401781-1G:4548173952512
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資料
n型、p型ドーパントとして有用なルテニウム、モリブデン錯体は、塗布または真空プロセスのいずれの方法でも、有機半導体と表面の両方のドーピングに適用可能な化合物です。
Highly reducing or oxidizing species enhance organic semiconductor conductivity by reducing charge-carrier injection barriers.
有機金属気相エピタキシー法(MOVPE)を用いた高効率集光型太陽光発電(CPV)デバイスの作製について論じます。
High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication
ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.
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